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第527章 星河cad（第1页）

会议室里安静了几秒，吴国华继续翻开笔记本下一页。

“第二类问题，功耗与电源完整性缺陷。”

他在黑板上写了几行数字。

kl-vu:设计功耗du，实测功耗du，芯片温度oc。

kl-cu:设计功耗dul-sra:设计功耗odu，实测功耗odu，芯片温度c。

“动态功耗标严重，kl-vu的实测功耗比设计值高了，芯片温度到了o度，远设计指标。”

他指着那行数字。

“功耗仿真用的是平均活动因子，假设所有门电路的平均翻转率是o。但kl-vu的向量运算单元，执行向量指令时，个加法器同时翻转，活动因子接近oo。峰值功耗是平均功耗的倍以上。”

他画了一个电流波形的示意图，在指令执行的瞬间有一个巨大的尖峰。

“输出级同时翻转时的电流尖峰，被严重低估了。”

台下有人问：“局部电压跌落的问题呢？”

“有。”吴国华又画了一个图，是芯片内部的电压分布，“kl-cu的某些区域，实测供电电压只有伏，比标称值低了。门电路的度下降，逻辑出错。”

他在图上标了几个热点。

“电源网络设计不合理。从电源焊盘到芯片内部的金属线太细，电阻太大，大电流时产生明显的压降。仿真时假设理想电源网络，没做irdrop分析。”

他又画了一个图，是一个寄生pnpnpn结构的示意图。

“还有一个更严重的问题，闩锁效应。”

台下安静了。

“kl-cu有两颗芯片在测试中突然电流骤增，从正常的o毫安跳到了oo毫安，然后烧毁。切片分析现，是闩锁效应导致的。”

他在图上标出了寄生结构。

“os和pos之间会形成一个寄生的pnpn结构，像一个可控硅。在特定条件下，这个寄生结构会导通，形成低阻通路，电流失控。”

他放下粉笔，看着台下。

“仿真模型中没有寄生pnpnpn结构，无法预测闩锁触条件。这个问题，设计时只能靠经验和规则来规避。”

宋颜在笔记本上写了几行字，抬起头：“存储芯片的问题呢？”

吴国华翻开笔记本下一页。

“kl-sra，颗流片，封装颗，测试通过颗。淘汰的颗中，失效模式分布如下。”

他在黑板上写了一张表：

存储单元失效:颗，集中在晶圆边缘。

地址译码错误:颗

保持时间不足:颗

读写干扰:颗

封装问题:颗

“存储单元失效的颗芯片，位图显示某些地址永远读不出正确数据。切片分析现，失效的存储单元集中在晶圆边缘，光刻胶厚度不均导致的晶体管尺寸偏差。”

他在晶圆示意图的边缘画了几个叉。

“存储单元的性能取决于晶体管尺寸、掺杂浓度的精确匹配。工艺波动导致的随机失效，无法用仿真预测。”

他又画了一个地址译码器的时序图。

“地址译码错误的颗芯片，问题出在译码器的竞争。地址切换时，译码器输出端出现了短暂的错误地址，导致误访问。这个毛刺宽度只有几纳秒，在仿真中被忽略了。”

“保持时间不足的颗芯片，存储单元的电荷泄漏太快。原因是存储节点的寄生漏电比模型大了将近一倍，仿真时假设理想绝缘。”

他放下粉笔，转过身。

“存储芯片的失效模式非常复杂，分布式系统能做的仿真有限。很多问题，只有流片回来实测才能现。”

宋颜点了点头，看向戚工：“产品中心有什么补充的吗？”。

戚工站起来，走到黑板前：“我来补充一些测试中心方面的，分布式辅助系统仿真覆盖不到的问题。”